domingo, junio 5, 2011
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Hace 4 años les hablé de un revolucionario nuevo tipo de memoria llamada Phase-Change Memory (PCM, o Memoria de Cambio de Fase), y por fin esta será demostrada al público mañana lunes en el evento DAC 2011.
Esta novedosa forma de memoria del tipo PCM lleva años desarrollándose, y aunque aun no está lista para masificarse, el hecho de que ya pueda demostrarse en público nos indica que estamos a poco años de verla en nuestra próxima tablet o celular inteligente. PCM combina y sobrepasa lo mejor de los discos duros tradicionales y las memorias tipo Flash (como las utilizadas internamente en el iPhone y iPad), ofreciendo una velocidad de acceso miles de veces superior a la de un disco duro tradicional, e incluso siendo unas 7 veces más rápida que la memoria más rápido tipo SSD hoy día en el mercado. La tecnología PCM funciona cambiando de fase unos cristales en un meta-material que son estimulados eléctricamente para que se calienten y cambien de forma. Según el equipo que demostrará mañana la tecnología, ya pueden conseguir velocidades de lectura de 1.1 GigaBytes por segundo (es decir, 8.8Gbps) y 371 MegaBytes por segundo (2,968Mbps) de escritura. Noten que estos son prototipos, pues como reportado previamente la tecnología permitiría memorias PCM incluso 10,000 o 100,000 veces más rápidas que discos duros de hace apenas 5 años. Y lo mejor de todo, este tipo de memoria es muchísimo más simple que la tecnología Flash actual, lo que significa de paso menores costos de fabricación y por tanto menores costos al consumidor final. fuente autor: josé elías |
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Almacenamiento , Ciencia , Futuro Digital |
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en camino a la singularidad...
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Si seguimos así en 10 años mi celular le va a dar 100 patadas a mi PC de hoy día!!!!!!!