La empresa Crossbar acaba de anunciar que está ya al punto de comercializar un nuevo tipo de memoria que llama "Resistive RAM" (RRAM, de lo cual ya les había hablado previamente en eliax) que supera a las memorias Flash en todos los sentidos.

Recordemos que las memorias Flash (o memoria NAND) son las utilizadas en memorias USB, en tarjetas de memoria para cámaras digitales, e incluso en los SSD que están reemplazando los discos duros tradicionales.

¿Y cómo se diferencia RRAM de Flash? Pues para empezar ocupa muchísimo menos espacio, lo que significa que su densidad de almacenamiento es muchísimo mayor, y de paso consumiendo muchísimo menos energía eléctrica (lo que significa más tiempo de uso en celulares, cámaras, tabletas, etc).

Así mismo este tipo de memoria es 20 veces más rápida en escritura que las memorias Flash tradicionales, y como si fuera poco los datos pueden ser almacenados por unos 20 años sin sufrir pérdidas (las memorias Flash, solo tienen unos 3 años de vida en almacenamiento estático en promedio).

Y sí, la idea también es sacar estas memorias a un precio menor por bit. Ahora solo falta que nos den una fecha definitiva de salida al mercado, aunque sea en los próximos 1 a 2 años...

Y en nota relacionada, Samsung anunció que ha desarrollado una técnica a la que llama 3D V-NAND que en esencia le permite crear memorias Flash en 3D, en una configuración tipo "sándwich", en donde las células que almacenan información se encuentran no solo una al lado de la otra, sino que incluso unas encimas de otras, con hasta 24 capas.

Según Samsung, estas memorias ya están listas para entrar en producción, en capacidades de entre 128Gigabits (16 GigaBytes) a hasta 1 Terabit (128 GigaBytes), y al doble de velocidad que memorias Flash 2D convencionales.

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fuente 2

autor: josé elías